Caractérisation "on wafer" du bruit d’un transistor MOS

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Des chercheurs du NIST en collaboration avec IBM et RF Micro Devices ont développé une méthode qui permet d’acquérir les paramètres de bruit d’un transistor MOS à partir de la mesure directe du bruit sur le signal d’entrée ("reverse noise") du transistor, réalisée sur la plaquette avant découpe des composants. Les mesures ont été réalisées sur des transistors de type NMOS de 0,12 microns de grille conçus par RF Micro Devices et fabriqués par IBM. En s’appuyant sur une modélisation classique de la mesure du bruit, les chercheurs en ont extrait les paramètres caractéristiques du bruit dans le composant (normes IEEE) qu’ils proposent d’exploiter pour améliorer la précision des paramètres déterminés par les mesures de bruit traditionnelles et permettre une modélisation plus fiable des composants qui devrait être très utile aux concepteurs. Ces travaux ont été présentés le 12 juin lors du symposium "IEEE Radio Frequency Integrated Circuits" qui s’est tenu à San Francisco.

Source :


- http://www.nist.gov/public_affairs/techbeat/tb2006_0622.htm#noise
- Pour plus d’informations : Reverse Noise Measurement and Use in Device Characterization - http://www.boulder.nist.gov/div818/81801/Noise/publications/06_Rev%20noise_RFIC.pdf

Rédacteur :

Roland Hérino, attache-phys.mst@consulfrance-us.org
Sébastien Morbieu, deputy-phys.mst@ambafrance-us.org

Voir en ligne : http://www.bulletins-electroniques….