Contrôle non destructif des wafers

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Des chercheurs de l’université de South Florida viennent de développer un nouveau procédé à base d’ultrasons pour effectuer des mesures non destructives de plaquettes de silicium et détecter les défauts provoqués par un stress mécanique résiduel. Le dispositif comprend un transducteur ultrasons piézoélectrique, couplé à la plaquette de silicium, réglé à une fréquence de résonance, et une sonde à large bande qui mesure les fréquences de réponse. Les chercheurs ont pu identifier les modes de vibrations propres à la plaquette (en fonction de sa géométrie) et les corréler à la présence ou non des stress résiduels. Les expériences ont été réalisées sur des wafers circulaires de 300mm de silicium monocristallin utilisés classiquement pour la production des circuits intégrés, ainsi que sur des plaquettes carrées de silicium polycristallin utilisées pour la fabrication de cellules solaires.
L’intérêt de ce nouveau dispositif provient de la rapidité avec laquelle se font les mesures et de la possibilité de tester des plaquettes de grandes tailles. Le stress mécanique résiduel dans les plaquettes pouvant provoquer des microfissures et finalement des cassures.

Source :


- Ostapenko, College of Engineering, University of South Florida, http://www.eng.usf.edu/~ostapenk/smd/
- Semiconductor Science and Technology (vol. 21, pp. 254-260), http://www.iop.org/EJ/toc/0268-1242/21/3

Rédacteur :

Christophe Lerouge, attache.stic@consulfrance-sanfrancisco.org

Voir en ligne : http://www.bulletins-electroniques….