Des espèces moléculaires organiques pour les dispositifs "spintroniques"

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La recherche sur les dispositifs "spintroniques" porte essentiellement sur des structures qui mettent en jeu des matériaux inorganiques, semiconducteurs composés et métaux ou alliages métalliques magnétiques. L’utilisation de matériaux organiques peut toutefois être intéressante dans la mesure où les interactions spin-orbite dans les molécules sont faibles, et qu’ainsi la polarisation des spins peut être conservée beaucoup plus longtemps et sur des distances plus importantes que dans les semiconducteurs traditionnels.
Au NIST (National Institute of Standards and Technology), des chercheurs de la division Semiconductor Electronics s’intéressent à la caractérisation de barrières tunnel faites d’une couche organique d’octanethiol de dimension nanométrique placée en sandwich entre des électrodes de nickel et cobalt. En s’appuyant sur des mesures électriques sous champ magnétique (caractérisation de la magnétorésistance de la jonction et spectroscopie de tunneling électronique), l’équipe vient de montrer sans ambigüité que c’était bien la couche moléculaire qui contrôlait le comportement du dispositif, la dépendance en polarisation de la magnétorésistance de la jonction étant attribuable à la diffusion inélastique des électrons due aux vibrations moléculaires. Il s’agit là de résultats encourageants quant à la possibilité d’exploiter les nanosystèmes moléculaires dans dispositifs spintroniques.

Source :


- http://www.physorg.com/news79885859.html
- http://www.nist.gov/

Rédacteur :

Roland Hérino - attache-phys.mst@consulfrance-houston.org

Voir en ligne : http://www.bulletins-electroniques….