Des nano-anneaux asymétriques pour stocker de l’information à haute densité

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Une équipe conjointe aux universités d’Hopkins (Baltimore) et de Carnegie Mellon (Pittsburgh) vient de mettre au point une méthode de fabrication d’un nouveau matériau à base de nano-anneaux ferromagnétiques qui laisse présager la mise au point de nouvelles mémoires non volatiles, à haute densité et d’accès rapide (MRAM Magnetic Random Access Memory). Ces nano-anneaux sont à base de cobalt ou de nickel. La nouveauté de ces recherches vient du fait qu’ils sont asymétriques ce qui permet de contrôler plus précisément les états du champ magnétique stocké et ainsi d’éviter un champ "parasite" qui existe lorsque la forme des anneaux est symétrique. La commutation du champ magnétique stocké dans les anneaux est dans ce cas contrôlable à 100% par la direction d’un champ magnétique extérieur appliqué. Par ailleurs, l’absence de champ parasite permet d’accroître la densité de stockage des anneaux sans qu’ils interfèrent les uns avec les autres et par conséquent d’augmenter la densité d’information qu’il est possible de stocker dans le matériau.
Pour fabriquer les anneaux, les chercheurs partent de gouttes de polystyrène de 50nm de diamètre déposées sur un substrat en silicium. Le tout est ensuite recouvert de métal (dépôt par pulvérisation). Le métal est ensuite retiré (ion-etching) sauf aux endroits où il est protégé par la goutte de polystyrène en formant finalement un nano-anneau d’environ 100nm de diamètre. Une inclinaison initiale du substrat permet d’obtenir un anneau asymétrique.

Source :


- Frank Q. Zhu, 3400 N.Charles St, Department of Physics and Astronomy, Johns
Hopkins University, Baltimore, MD 21218
http://scitation.aip.org/dbt/dbt.jsp?KEY=PRLTAO&Volume=96&Issue=2
- http://www.jhu.edu/news_info/news/home06/jan06/zhu.html

Rédacteur :

Christophe Lerouge, attache.stic@consulfrance-sanfrancisco.org

Voir en ligne : http://www.bulletins-electroniques….