La DARPA ne reconduira pas en 2006 le financement du programme de R&D sur la lithographie sans masque

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La DARPA (Defense Advanced Research Projects Agency) qui a financé une grande partie de la recherche en lithographie depuis 1991 (environ 1 milliard de dollars), a récemment annoncé qu’elle arrêtait, fin septembre 2005, de supporter son programme de recherche portant sur la lithographie sans masque. Cette technique est très attrayante car elle permet de supprimer le coût des masques mais présente l’incovénient majeur d’avoir des temps de production de 20 à 100 fois plus longs. Selon Anthony Tether, directeur de la DARPA, la lithographie sans masque est intéressante pour produire les faibles à moyens volumes de circuits spécialisés, mais n’est pas suffisante pour répondre complètement aux besoins du Department Of Defense (DOD). Les principaux acteurs industriels du marché des appareils de production lithographiques (ASML, Canon et Nikon) déclarent aussi, après le choix de la DARPA, vouloir abandonner leur programme de recherche dans ce domaine.
D’autres groupes (Naval Air Warfare Center) continueront à supporter différentes techniques de lithographie comme les sources à rayons X ou les masques pour la nano-lithographie et les instruments optiques. La DARPA prévoit pour 2006 d’augmenter ses investissements dans les micro systèmes 3-D intégrant capteurs, activateurs et source d’énergie ainsi que dans les circuits, wide-bandgap, pour les applications RF et forte puissance.

Source :

Manufacturing & Technology News, 12/10/2005
David Lammers, "Darpa ends litho aid at critical juncture for maskless", EETimes, 02/2005

Pour en savoir plus, contacts :


- http://www.darpa.mil/mto/index.html
Code brève
ADIT : 30239

Rédacteur :

Raphaël Allègre, vi.me@consulfrance-sanfrancisco.org

Voir en ligne : http://www.bulletins-electroniques….